[发明专利]制造半导体器件结构的方法无效
| 申请号： | 200680034842.2 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101438390A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 维姆·贝斯林 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 描述了一种制造半导体器件双嵌入结构的方法。在扩散阻挡层汽相淀积在形成在衬底中的沟槽或通孔中的过程中，使用了基于卤素的前驱体。来自淀积的残余卤素被允许保留在该阻挡层上并且用于催化金属层在该阻挡层上的生长以填充该沟槽或通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件结构的方法，在该方法中，在衬底上淀积第一材料层的过程中，使用基于卤素的前驱体，以及其中使用来自所述淀积的残余卤素以催化在所述第一层上的第二材料层的生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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