[发明专利]单片型半导体激光器有效
| 申请号： | 200680030737.1 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101248562A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 田边哲弘 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单片型半导体激光器，在半导体基板(1)上设置有AlGaAS类半导体激光器元件(10a)和InGaAlP类半导体激光器元件(10b)，该AlGaAS类半导体激光器元件(10a)由具有n型包层(2a)、活性层(3a)和形成有脊部的p型包层(4a)的红外发光层形成部(9a)，和在脊部侧部设置的电流狭窄层(5a)构成；该InGaAlP类半导体激光器元件(10b)由具有n型包层(2b)、活性层(3b)、形成有脊部的p型包层(4b)的红色发光层形成部(9b)，和在其脊部侧部设置的电流狭窄层(5a)构成，两个元件的电流狭窄层由相同材料、且比红色发光层形成部的活性层(3b)的带隙大的带隙材料形成。结果，能够不增加结晶生长的次数、得到能够高温高输出运行的单片型半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种单片型半导体激光器，在同一半导体基板上具有第一波长用半导体激光器元件和第二波长用半导体激光器元件，其特征在于：所述第一波长用半导体激光器元件具有：由在所述半导体基板上叠层的第一导电型半导体层、活性层、形成有脊部的第二导电型半导体层构成的第一波长用发光层形成部；和在所述第二导电型半导体层的脊部的侧部设置的第一波长用的第一导电型电流狭窄层，所述第二波长用导体激光器元件具有：由在所述半导体基板上的未形成所述第一波长用半导体激光器元件的区域叠层的第一导电型半导体层、活性层、形成有脊部的第二导电型半导体层构成的第二波长用发光层形成部；和在所述第二导电型半导体层的脊部的侧部设置的第二波长用的第一导电型电流狭窄层，形成所述第一波长用的电流狭窄层和所述第二波长用的电流狭窄层的材料相同，并且由相比于发光波长短的所述第二波长用的半导体激光器元件的活性层具有更大的带隙能量的材料构成。
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