[发明专利]激光加工方法

摘要

本发明提供一种用于防止从切断硅晶片所得到的芯片的切断面产生颗粒的激光加工方法。形成改质区域(7₇～7₁₂)时的激光(L)的照射条件，以在自硅晶片(11)的表面(3)起的深度为335μm～525μm的区域的激光(L)的球面象差被修正的方式，相对于形成改质区域(7₁₃～7₁₉)时的激光(L)的照射条件而发生变化。因此，即使以改质区域(7₁～7₁₉)为切断的起点将硅晶片(11)及功能元件层(16)切断成半导体芯片，在深度为335μm～525μm的区域还是不会明显出现扭梳纹，并且难以产生颗粒。

主权项

1.一种激光加工方法，其特征在于：通过利用聚光用透镜使激光聚光在厚度为t(500μm＜t)的硅晶片的内部，沿着所述硅晶片的切断预定线，在所述硅晶片的内部形成多列成为切断的起点的改质区域，该激光加工方法具备：在自所述硅晶片的激光入射面起的深度为350μm～500μm的第1区域，沿着所述切断预定线形成第1改质区域的工序；和在自所述激光入射面起的深度为0μm～250μm的第2区域，沿着所述切断预定线形成第2改质区域的工序，形成所述第1改质区域时的激光的照射条件，以在所述第1区域的激光的球面象差被修正的方式，相对于形成所述第2改质区域时的激光的照射条件而发生变化。