[发明专利]用于控制高压晶体管的驱动器、特别是用于内燃机的火花点火的高压射频生成器的MOS晶体管有效

专利信息
申请号: 200680028757.5 申请日: 2006-05-12
公开(公告)号: CN101238640A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: A·阿涅雷;C·努瓦尔 申请(专利权)人: 雷诺股份公司
主分类号: H03K3/57 分类号: H03K3/57
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 李峥;于静
地址: 法国布洛*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种用于驱动高压晶体管的驱动器,其包括:输入端(IN),用于接收逻辑控制信号;输出端(OUT),用于递送高压MOS晶体管的输出控制信号;具有低内部阻抗的nMOS第一驱动晶体管(Q6),其连接在地面与所述输出端之间并且其栅极连接到所述输入端;以及pMOS第二驱动晶体管(Q5),其连接在电源端与所述输出端之间并且其栅极经由双极晶体管(Q2)连接到所述输入端,所述双极晶体管被安排成共基极并且由电容耦合电路(C2、Q1、R2)在其射极上进行电流控制。
搜索关键词: 用于 控制 高压 晶体管 驱动器 特别是 内燃机 火花 点火 射频 生成器 mos
【主权项】:
1.一种用于驱动高压晶体管的驱动器,特别是射频高压生成器的MOS晶体管,其特征在于,该驱动器包括:输入端(IN),用于接收逻辑驱动信号;输出端(OUT),用于递送所述高压晶体管的输出驱动信号;具有低内部阻抗的nMOS第一驱动晶体管(Q6),其连接在地面与所述输出端之间并且其栅极连接到所述输入端;以及pMOS第二驱动晶体管(Q5),其连接在电源端与所述输出端之间并且其栅极经由双极晶体管(Q2)连接到所述输入端,所述双极晶体管被安排成共基极并且由电容耦合电路(C2、Q1、R2)在其射极上进行电流控制。
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