[发明专利]用于控制高压晶体管的驱动器、特别是用于内燃机的火花点火的高压射频生成器的MOS晶体管

权利要求书

1.一种用于驱动高压晶体管的驱动器，特别是射频高压生成器的MOS晶体管，其特征在于，该驱动器包括：输入端(IN)，用于接收逻辑驱动信号；输出端(OUT)，用于递送所述高压晶体管的输出驱动信号；具有低内部阻抗的nMOS第一驱动晶体管(Q6)，其连接在地面与所述输出端之间并且其栅极连接到所述输入端；以及pMOS第二驱动晶体管(Q5)，其连接在电源端与所述输出端之间并且其栅极经由双极晶体管(Q2)连接到所述输入端，所述双极晶体管被安排成共基极并且由电容耦合电路(C2、Q1、R2)在其射极上进行电流控制。

2.根据权利要求1所述的驱动器，其中，所述nMOS第一驱动晶体管(Q6)的内部阻抗小于1ohm，优选地小于0.5ohm。

3.根据前面任一权利要求所述的驱动器，其中，所述电容耦合电路包括连接到所述输入端的电容(C2)、连接到所述双极晶体管的射极的第一电阻(R2)，以及在所述电阻与所述电容之间串行连接的构成二极管的装置(Q1)。

4.根据前面权利要求之一所述的驱动器，还包括第二电阻(R3)，该第二电阻连接在所述双极晶体管(Q2)的集电极与所述电源端之间并且与所述双极晶体管构成电平转换器级以及跟随器级(Q3、Q4)，该跟随器级连接在所述电平转换器级与所述pMOS第二驱动晶体管的栅极之间。

5.根据前面权利要求之一所述的驱动器，还包括连接在所述nMOS第一驱动晶体管的栅极与所述输入端之间的第一放大电路(AMP1)，和连接在所述输入端与所述电容耦合电路之间的第二放大电路(AMP2)。

6.根据前面权利要求之一所述的驱动器，还包括连接在所述输入端与所述nMOS第一驱动晶体管的栅极之间的相移电路(R1、C1、D1)。

7.根据前面权利要求之一所述的驱动器，还包括其输入连接到所述输入端的附加放大电路(IC2A)和附加nMOS晶体管(Q7)，该附加nMOS晶体管连接在地面与安排成共基极的所述双极晶体管的集电极之间并且其栅极连接到所述附加放大电路的输出。

8.对根据权利要求1-7之一所述的驱动器的应用，所述驱动器用于驱动用于内燃机的火花点火的高压射频生成器的晶体管。

9.对根据权利要求1-7之一所述的驱动器的应用，所述驱动器用于驱动用于生成等离子的高压射频生成器的晶体管。