[发明专利]注入式发射器

摘要

注入式发射器(发光二极管、超辐射发光发射器)以较大波长范围内的高效固态发射源的形式使用以及用于更宽的应用领域，包括使用设置有发光二极管的白光发射器进行普通照明。该发明还涉及超功率高效率且可靠的注入式表面发射激光器，其以多个输出光束的形式生成发射，并且其特征在于用于通过其外表面发射辐射的新颖和高效的方法。

主权项

1.一种注入式发射器，包括半导体异质结构，所述半导体异质结构至少包括有源层、由至少一个子层和所述发射器的横向侧面组成的波导层、由至少一个子层和纵向光轴组成的金属化层，其中，在所述异质结构中，在所述纵向光轴的方向上形成交替的由至少一个子区组成的发射生成区和由至少一个子区组成的发射输出区的至少一个序列，在上述序列中，在与发射输出侧相对的侧面上和在所述发射器的横向侧面上的所述异质结构的外层表面上、以及在所述发射输出侧上的所述异质结构的外层表面上的所述生成区中，放置相应的物质，所述物质的折射率远远小于所述生成区中的所述异质结构的有效折射率，在所述输出区和所述异质结构的多个层中，存在由至少一个子层组成并高于所述生成区的外表面的半导体漏入层，通过相应地相对于所述生成区的外表面以一定的线性倾斜角α1和α2设置的输出面在所述纵向光轴方向上的每个输出区的相对侧上限制每个输出区，所述漏入层的折射率nIN与其中包括有所述漏入层的所述输出区中的所述异质结构的有效折射率neff之比等于大于1的数。