[发明专利]形成包括不连续存储元件的电子器件的工艺有效
| 申请号： | 200680027319.7 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101253608A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 高里尚卡尔·L·真达洛雷;保罗·A·英格索尔;克雷格·T·斯维夫特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成电子器件的工艺可以包括：在衬底(12)中形成第一沟槽(22，23)，其中沟槽包括壁和底部并从衬底主表面延伸。该工艺还可以包括形成不连续存储元件(64)以及在沟槽中形成第一栅电极(92)以使得不连续存储元件的第一不连续存储元件位于第一栅电极和沟槽的壁之间。该工艺可以进一步包括移除位于衬底主表面上的不连续存储元件。该工艺还可以包括形成位于第一栅电极和衬底主表面上的第二栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包括 连续 存储 元件 电子器件 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种形成电子器件的工艺，所述工艺包括：在衬底中形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽包括壁和底部并从所述衬底的主表面延伸；在所述衬底的主表面上方和所述第一沟槽中形成不连续存储元件；在形成所述不连续存储元件之后，在所述第一沟槽中形成第一栅电极，其中，所述不连续存储元件的第一不连续存储元件位于所述第一栅电极和所述第一沟槽的壁之间；移除位于所述衬底主表面上的不连续存储元件，其中，不连续存储元件的第一部分保留在所述第一沟槽中；在移除所述不连续存储元件之后，形成第二栅电极，其中所述第二栅电极位于所述第一栅电极和所述衬底的主表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
