[发明专利]用于优化对基片上导电层组电响应的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200680024134.0 申请日: 2006-06-28
公开(公告)号: CN101213416A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 安德鲁·D·贝利三世 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: G01B7/06 分类号: G01B7/06
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种确定在目标基片上由第一导电材料形成的第一导电层的厚度的方法,该目标基片进一步具有由第二导电材料形成的第二导电层。该方法包括在相对该目标基片的给定位置设置第一涡流传感器,并且测量第一电响应组,第一电响应组包括在第一目标基片温度下的第一电压测量和第一电流测量中的至少一种,以及在第二温度下的第二组测量,并且利用该第一和第二电响应组,以及该第一导电层的第一温度系数,计算第三电响应组,该第三电响应组代表大体上可归因于该第一导电层的响应;以及从该第三电响应组确定该第一厚度。
搜索关键词: 用于 优化 基片上 导电 层组电 响应 方法 装置
【主权项】:
1.一种确定目标基片上由第一导电材料形成的第一导电层的第一厚度的方法,所述目标基片进一步具有由不同于所述第一导电材料的第二导电材料形成的第二导电层,所述方法包括:在相对于所述目标基片的给定位置设置第一涡流传感器,所述第一涡流传感器当被置于所述给定位置时,相对于所述目标基片为间隔分离关系;当所述第一涡流传感器被置于所述给定位置时,使用所述第一涡流传感器测量第一电响应组,所述第一电响应组包括第一电压测量和第一电流测量中的至少一种,所述测量所述第一电响应组在第一目标基片温度下进行;当所述第一涡流传感器被置于所述给定位置时,使用所述第一涡流传感器测量第二电响应组,所述第二电响应组包括第二电压测量和第二电流测量中的至少一种,所述测量所述第二电响应组在不同于所述第一目标基片温度的第二目标基片温度下进行;利用至少所述第一电响应组和所述第二电响应组,以及所述第一导电层的第一温度系数,计算第三电响应组,所述第三电响应组代表基本上归因于所述第一导电层的响应;以及从所述第三电响应组确定所述第一厚度。
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