[发明专利]溅射靶及光信息记录介质用薄膜有效
| 申请号： | 200680022785.6 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101208451A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 高见英生;矢作政隆 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/547;C04B35/453;G11B7/26;G11B7/257;G11B7/254 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶，其中，以硫化锌与由氧化铟、氧化锌及其它三价阳性元素A构成的氧化物为主要成分，相对于全部构成成分的硫的比率为5至30重量％，XRD测定的立方晶系ZnS的(111)峰强度I1与六方晶系ZnS的(100)峰强度I2共存并且满足I1＞I2。本发明的目的在于提供在靶制造时或者通过溅射形成膜时可以防止靶破裂的高强度溅射靶及其制造方法，以及得到最适合作为保护膜使用的光信息记录介质用薄膜及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 信息 记录 介质 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其中，以硫化锌与由氧化铟、氧化锌及其它三价阳性元素A构成的氧化物为主要成分，硫相对于全部构成成分的比率为5至30重量％，XRD测定的立方晶系ZnS的(111)峰强度I1与六方晶系ZnS的(100)峰强度I2共存并且满足I1＞I2。
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