[发明专利]修改布局以消除由线材料收缩引起的线弯曲无效
| 申请号： | 200680022124.3 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101203951A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 弗拉迪米尔·阿莱克谢耶维奇·乌克兰采夫;马克·E·梅森;詹姆斯·沃尔特·布拉奇福德;布赖恩·阿什利·史密斯;布赖恩·爱德华·霍尔农;德克·诺埃尔·安德森 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/461 | 分类号： | H01L21/461;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置和一种用于制造具有减少的线弯曲的半导体装置的方法。所述方法可包含形成第一层并在所述第一层上沉积光致抗蚀剂层。可将所述光致抗蚀剂层图案化，使得所述图案化包括邻近于隅角特征(250)的外侧设置的至少一个支撑特征(271)。 | ||
| 搜索关键词： | 修改 布局 消除 线材 收缩 引起 弯曲 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有减少的线弯曲的半导体装置的方法，其包括：形成第一层；在所述第一层上沉积光致抗蚀剂层；以及将所述光致抗蚀剂层图案化，其中所述图案化包括邻近于隅角特征的外侧设置的至少一个支撑特征。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680022124.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带电液缓冲器附加装置的变速器
- 下一篇：柴油机冷却水泵的放水结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
