[发明专利]具有微分负电阻硫属化合物装置的静态随机存取存储器单元及其形成方法无效
| 申请号： | 200680020753.2 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101194321A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘军;特里·L·吉尔东 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/38 | 分类号： | G11C11/38 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种稳定性得到改进的SBAM存储器装置，其包含两个串联连接的装置，所述装置的至少一者是表现出微分负电阻特性的硫属化合物装置。所述两个装置中的一者用作另一者的负载。提供开关以偏压中间输入节点且在两个逻辑状态之间切换所述存储器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 微分 电阻 化合物 装置 静态 随机存取存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种随机存取存储器装置，其包括：第一微分负电阻硫属化合物装置；第二装置，其与所述第一微分负电阻装置串联电连接，所述第一微分负电阻硫属化合物装置与所述第二装置的所述串联连接形成连接节点，所述连接节点提供代表所述存储器装置的级状态的电压；及开关，其耦合到所述节点以用于将电压耦合到所述连接节点并切换所述存储器装置的存储器状态。
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