[发明专利]用可弃式间隔物提高的源极与漏极工艺有效
| 申请号： | 200680020111.2 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101194350A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | J·范米尔;H·钟 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用以在半导体制造过程中形成提高的源极与漏极区域(26，48)的方法，其采用双可弃式间隔物(20，24，40，46)。在该第一及第二可弃式间隔物(20，24，40，46)之间提供沉积的氧化物(22，42)，且该沉积的氧化物是在干蚀刻该较大的第二可弃式间隔物(24，46)的过程中适用以保护栅极电极(14，34)、第一可弃式间隔物(20，40)、以及覆盖层(cap layer)(16，36)。从而防止鼠耳状物(mouse ear)，而第二可弃式间隔物(24，46)的使用是在环状(halo)离子注入的过程中避免遮蔽效应(shadow－effect)。 | ||
| 搜索关键词： | 用可弃式 间隔 提高 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种形成提高的源极与漏极区域的方法，包括下列步骤：在衬底(10，30)上形成栅极电极(14，34)；在该栅极电极(14，34)的各个侧壁上形成双可弃式间隔物(20，24，40，46)；在该衬底(10，30)上形成提高的源极/漏极区域(26，48)；以及去除双可弃式间隔物(20，24，40，46)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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