[发明专利]在PCM单元及由其得到的器件中控制“首先熔化”区域的方法有效
| 申请号： | 200680017142.2 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101213612A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·古克斯;德古·武泰斯;朱迪思·里索尼;托马斯·吉勒 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;校际微电子中心 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰爱*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种相变存储单元，其包括形成在第一相变材料中的两个隔离区域，其中这两个隔离区域通过形成在第二相变材料中的区域连接起来。所述第二相变材料的结晶温度低于所述第一相变材料的结晶温度。通过利用能够在较低的温度下切换相位的第二PCM材料来局部地改变材料特性，从而获取局部的“热点”。 | ||
| 搜索关键词： | pcm 单元 得到 器件 控制 首先 熔化 区域 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储单元，其包括形成在第一相变材料中的两个隔离区域，这两个隔离区域通过形成在第二相变存储材料中的区域连接起来，其中所述第二相变材料的结晶温度低于所述第一相变材料的结晶温度。
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