[发明专利]溅射靶有效
| 申请号： | 200680014792.1 | 申请日： | 2006-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101171362A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 宫下博仁 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其中，在Ta或Ta合金靶中，{110}面的X射线衍射强度比为0.4以下，进一步{110}面的X射线衍射强度比为0.2以下；一种溅射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上{110}面的X射线衍射强度比为0.8以下，并且在深度100μm或更大深度处的{110}面的X射线强度比为0.4以下。本发明提供一种Ta或Ta合金靶，其在整个溅射靶的寿命期间使各靶的成膜速度的变动最小化，进一步提高并稳定溅射过程中半导体的生产效率，同时有助于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其中在Ta或Ta合金靶中，{110}面的X射线衍射强度比为0.4以下。
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