[发明专利]磁控管溅射室上的分离磁体环无效
| 申请号： | 200680008750.7 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101142094A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 傅新宇 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | B44C1/22 | 分类号： | B44C1/22;C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种分离磁体环(70)，特别有利于磁控管等离子体反应器(10)，所述反应器用于将钽、钛、钨或其他阻挡金属溅射沉积到过孔中以及从过孔底部将所沉积的材料二次溅射刻蚀到过孔侧壁上。该磁体环包括两个环形磁体环(72、74)，所述环形磁体环具有相同轴向极性并由非磁性间距(76)以及相关的磁极面分开，所述非磁性间距(76)至少为一个磁体的轴向长度。较小的非对称磁控管(36)围绕靶材(16)背面转动，磁控管(36)具有外磁极(42)，外磁极(42)具有与环形磁体(72、74)相同的极性并围绕较弱的内磁极(40)，内磁极具有相反的极性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管 溅射 分离 磁体 | ||
【主权项】：
1.一种溅射反应器，包括：真空室，具有围绕中心轴线布置的侧壁；溅射靶材，被密封到所述真空室的一端；基座，沿所述中心轴线布置成与所述溅射靶材相对，用于支撑待处理的衬底；和分离磁体环，围绕所述中心轴线布置，沿所述中心轴线方向至少部分地设置在所述溅射靶材与所述基座之间，并包括至少两个沿所述中心轴线具有第一磁极性的子环，所述子环之间保持有轴向间距，所述轴向间距沿着所述中心轴线方向并且磁性被显著降低。
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