[发明专利]用于不使用CdCl2大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及用于不使用CdCl₂大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法，其中具体公开了用于大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法，所述薄膜在透明衬底上按顺序沉积，包括步骤：在所述衬底上沉积透明导电氧化物(TCO)膜；在所述TCO膜上沉积CdS膜；在所述CdS膜上沉积CdTe膜；通过含氯的惰性气体处理所述CdTe膜。含氟惰性气体是含氯氟烃或含氢氯氟烃产品，以及以380－420℃的操作温度，在真空室中执行该处理。根据产品的热离解的结果释放的氯与存在于电池表面上的固体CdTe反应以便产生TeCl₂和CdCl₂蒸气。通过将真空应用于真空室，同时使温度保持在操作值，从电池表面消除任何剩余CdCl₂。

主权项

1.用于大规模生产CdTe/CdS薄膜太阳能电池的方法，所述薄膜在透明衬底上按顺序沉积，包括步骤：-在所述衬底上沉积透明导电氧化物(TCO)膜；-在所述TCO膜上沉积CdS膜；-在所述CdS膜上沉积CdTe膜；-使所述CdTe膜经受激活处理；-在所述处理过的CdTe膜上沉积后触点膜；该方法的特征在于CdTe膜的激活处理包括下述步骤：-将在所述衬底上沉积的CdTe/CdS引入真空室中，-将支撑衬底加热到380-420℃的操作温度，-在真空室中引入惰性气体和从含氯氟烃和含氢氯氟烃产品选择的含氯惰性气体，由此根据所述产品的热离解的结果释放的氯与存在于电池表面上的固体CdTe反应以便产生TeCl2和CdCl2蒸气，将真空应用于真空室，同时使温度保持在操作值，由此从电池表面消除任何剩余CdCl2。