[发明专利]硅的精炼方法无效
| 申请号： | 200680004118.5 | 申请日： | 2006-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101115681A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 德丸慎司;冈泽健介;近藤次郎;冈岛正树 | 申请（专利权）人： | 新日铁高新材料株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用炉渣对低纯度Si进行精炼，特别地去除B的方法，该方法可抑制反应容器的因炉渣而引起的损耗，并以低成本制造在太阳能电池原料等中使用的高纯度Si。通过将SiO2和碱金属氧化物或者碱金属碳酸盐作为炉渣原料添加到熔融的Si中，使其形成炉渣时，将与所使用的反应容器材质相同的物质或反应容器材质中所含有的成分之中的一种或多种物质添加到炉渣中，以去除熔融Si中的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 精炼 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si精炼方法，是通过将SiO2、和碱金属氧化物或碱金属碳酸盐作为炉渣原料、添加到反应容器中的熔融的Si中，使其形成炉渣，使该熔融Si中的杂质向炉渣中转移而进行去除的方法，其特征在于，将使用的反应容器所含有的成分的至少一种添加到所述炉渣中。
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