[发明专利]钽化合物及其制造方法、含钽薄膜及其形成方法有效
| 申请号： | 200680003625.7 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101111502A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 关本谦一;多田贤一;高森真由美;山川哲;古川泰志;大岛宪昭 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社;财团法人相模中央化学研究所 |
| 主分类号： | C07F9/00 | 分类号： | C07F9/00;C07F17/00;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 及其 制造 方法 薄膜 形成 | ||
【主权项】：
1.一种钽化合物，其用通式(1)表示，[化1]![]()
(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)。
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