[发明专利]差分交替相移掩模优化有效
| 申请号： | 200680002862.1 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101213547A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | L·W·利伯曼;Z·鲍姆恩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种掩模设计方法，包括：通过将掩模分辨率增强技术(RET)特征例如交替相移区或者次分辨率辅助特征与集成电路设计的临界宽度段对准，形成第一掩模设计，所述第一掩模设计满足可制造性设计标准；通过将RET特征与集成电路设计的临界宽度段对准，形成第二掩模设计，所述第二掩模设计满足所述临界宽度段的局部区域的光刻设计标准。识别第二掩模设计的与可制造性设计标准冲突的特征，然后从所述第二掩模设计形成第三掩模设计，其中用所述第一掩模设计的特征选择性地替换所述第二掩模设计的与可制造性标准冲突的特征，从而所述第三掩模设计满足可制造性设计标准。 | ||
| 搜索关键词： | 交替 相移 优化 | ||
【主权项】：
1.一种设计掩模的方法，所述掩模用于在光刻处理中投影集成电路设计的图像，所述方法包括：提供具有多个临界宽度段的集成电路布图的设计；通过将用于辅助投影临界宽度段的掩模特征与集成电路设计的临界宽度段对准，形成第一掩模设计，所述第一掩模设计满足预定的可制造性设计标准；通过将用于辅助投影临界宽度段的掩模特征与集成电路设计的临界宽度段对准，形成第二掩模设计，所述第二掩模设计满足所述临界宽度段的局部区域的预定光刻设计标准；识别第二掩模设计的与所述预定可制造性设计标准冲突的设计特征；从所述第二掩模设计形成第三掩模设计，其中用所述第一掩模设计的掩模特征选择性地替换所述第二掩模设计的与预定可制造性标准冲突的掩模特征，从而所述第三掩模设计满足预定的可制造性设计标准。
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