[发明专利]在CMOSFET中最优化应变的结构与方法无效
| 申请号： | 200680002466.9 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101496176A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括PMOSFET和NMOSFET的应变MOSFET半导体结构，以及用于制造应变MOSFET的方法，该方法最优化MOSFET中的应变，更具体地说，最大化在一类(P或N)MOSFET中的应变并且最小化并驰豫在另一类(N或P)MOSFET中的应变。在所述PMOSFET和所述NMOSFET两者上形成具有初始全厚度的应变引起CA氮化物覆层，其中应变引起覆层在一类半导体器件中产生最优化的全应变并且降低另一类半导体器件的性能。蚀刻应变引起CA氮化物覆层，以减小在另一类半导体器件上的厚度，其中，应变引起覆层的减小厚度在另一MOSFET中驰豫并产生较小的应变。 | ||
| 搜索关键词： | cmosfet 优化 应变 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有p型半导体器件和n型半导体器件的半导体结构的方法，所述p型半导体器件和n型半导体器件中具有不同的应变量，所述方法包括如下步骤：在衬底上形成p型半导体器件和n型半导体器件；在所述p型半导体器件和所述n型半导体器件上形成具有初始厚度的应变引起覆层，其中所述应变引起覆层在所述p型半导体器件和所述n型半导体器件中产生应变；保护应变引起覆层覆盖的p型半导体器件和n型半导体器件的一个，而另一个应变引起覆层覆盖的半导体器件保持暴露；蚀刻所述暴露的应变引起覆层以减少应变引起覆层的厚度，从而驰豫在所述暴露的半导体器件中的应变，而被保护的半导体器件上的应变引起覆层仍被保护，以便所述被保护的半导体器件中的所述应变保持不变。
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