[发明专利]磁控管溅射用磁体构件和阴极单元以及磁控管溅射装置

摘要

本发明提供一种基于多个磁体间的磁相互作用形成的四方向磁场，谋求减少平衡良好地形成隧道状等离子体封闭用漏磁场时的磁场设计劳动力的磁体构件等。磁体构件(110)具备：在靶(20)的里面一侧使磁矩的方向错开地配置，以形成直到靶表面(20A)的第1磁力线的内外部磁体(10、13)、及形成抵消第1磁力线产生的磁通密度的宽度方向的分量的第2磁力线，在与内外部磁体(10、13)之间的靶(20)的里面一侧，使磁矩的方向错开地配置的中间磁体(11、12)、以及配置于靶(20)的里面一侧，引导第2磁力线，以使从中间磁体(11、12)的一个端面出发的第2磁力线进入到中间磁体(11、12)的另一端面的磁性构件(24)；磁性构件(24)在与内部磁体(10)或外部磁体(13)之间形成到靶(20)的厚度方向的中途为止的磁力线。

主权项

1.一种磁控管溅射用的磁体构件，其特征在于，具备在所述靶的里面一侧使磁矩的方向相互错开地配置，以形成直到靶表面的第1磁力线的内部磁体以及外部磁体、在所述内部磁体与外部磁体间的所述靶的里面一侧，使磁矩的方向相互错开地配置，以形成抵消所述第1磁力线形成的磁通密度在所述靶的宽度方向的分量的第2磁力线的一对中间磁体、以及配置于所述靶的里面一侧，引导所述第2磁力线，以使从所述一对中间磁体的一个的端面出发的所述第2磁力线进入到所述一对中间磁体的另一个的端面的磁性构件；所述磁性构件在与所述内部磁体或所述外部磁体之间形成到所述靶的厚度方向的中途为止的磁力线。