[实用新型]在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备无效
| 申请号： | 200620035912.3 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN200964435Y | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 甘国工 | 申请（专利权）人： | 甘国工 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/46;C23C14/06 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人： | 江晓萍 |
| 地址： | 610100四川省成都市龙泉驿区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备。设备中有依次连接的上料台、前锁定室、前保持室、前缓冲室、有旋转的孪生中频硅靶及电源以及等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置以及用等离子分解含氢源气体得到氢自由基而使氮化硅层暴露于氢自由基的氨的充入和质量流量控制器的磁控溅射镀膜工作室、后缓冲室、后保持室、后锁定室、下料台，和各室相连的真空抽气机组、控制系统、气动翻板阀门、加热系统。确保了工艺的稳定性，提高了沉积效率，沉积氮化硅产量高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 片上镀抗 反射 钝化 设备 | ||
【主权项】：
1、在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，其特征在于设备中有依次连接的上料台、前锁定室、前保持室、前缓冲室、有旋转的孪生中频硅靶及电源以及等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置以及用等离子分解含氢源气体得到氢自由基而使氮化硅层暴露于氢自由基的氨的充入和质量流量控制器的磁控溅射镀膜工作室、后缓冲室、后保持室、后锁定室、下料台，和各室相连的真空抽气机组、控制系统、气动翻板阀门、加热系统。
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