[发明专利]耐蚀刻晶片处理装置和其制造方法

摘要

通过以下制造一种晶片处理装置：沉积薄膜电极到基底衬底的表面上，然后用保护涂层薄膜层覆盖该结构，该保护涂层薄膜层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属及其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物或氧氮化物的至少一种。该薄膜电极具有紧密匹配下面基底衬底层的热膨胀系数(CTE)和保护涂层的CTE的CTE。

主权项

1.一种晶片处理装置，包括用于放置要被处理的具有各种尺寸的物体的平台，该平台具有：基底衬底，该基底衬底包括石墨、难熔金属、过渡金属、稀土金属和它们的合金中的至少一种；布置在基底衬底上的电绝缘层，该层包括选自Al、B、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属和其组合中的元素的氧化物、氮化物、氧氮化物的至少一种；布置在电绝缘层上的薄膜电极；布置在薄膜电极上的至少一个涂层，该涂层包括选自B、Al、Si、Ga、难熔硬质金属、过渡金属和其组合中的元素的氮化物、碳化物、碳氮化物、氧氮化物的至少一种；其中：薄膜电极的热膨胀系数(CTE)为电绝缘层和涂层各自CTE的0.75-1.25倍；电绝缘层和涂层包括相同的材料或不同的材料；通过以下中的至少一种来沉积薄膜电极：丝网印刷、旋涂、等离子体喷涂、喷涂热解、反应喷涂沉积、溶胶-凝胶、燃烧炬、电弧、离子镀、离子植入、溅射沉积、激光烧蚀、蒸发、电镀和激光表面合金化；通过以下中的至少一种在薄膜电极上沉积涂层：膨胀热等离子体(ETP)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积、金属有机化学气相沉积、金属有机气相外延、溅射、电子束和等离子体喷涂。