[发明专利]制造半导体器件的鳍式场效应晶体管的方法

摘要

一种制造半导体器件的鳍式FET的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上依次沉积第一绝缘膜和第二绝缘膜；通过使用第一掩模蚀刻该第一绝缘膜和该第二绝缘膜，以形成沟槽；以及在该沟槽中沉积第一导体。该方法能够简化鳍式FET的制造过程，并且通过降低源区和漏区的电阻能够最大化鳍式FET的载流性能。

主权项

1.一种制造鳍式场效应晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次沉积第一绝缘膜和第二绝缘膜；使用第一掩模蚀刻该第一绝缘膜和该第二绝缘膜，以形成其上将形成鳍形导体的沟槽；在形成有该沟槽的该第一绝缘膜和该第二绝缘膜上沉积第一导体，从而形成该鳍形导体；在该第一绝缘膜和该鳍形导体上沉积栅极绝缘膜和栅极导电层；使用第二掩模干蚀刻该栅极导电层，以形成栅极导体；沉积间隔膜，通过全蚀刻方法在该栅极导体的侧壁上形成间隔部件，然后通过源极和漏极离子注入工艺形成源极和漏极；以及在该栅极导体和该鳍形导体的暴露部分上执行自对准硅化物工艺，以形成自对准硅化物膜。