[发明专利]硅结晶化用的掩模、用其结晶化硅的方法及显示设备有效
| 申请号： | 200610171239.0 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101000868A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姜明求;朱胜镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;B23K26/06;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种能够使结晶化硅中晶界数量最小化的硅结晶化用的掩模、一种使用该掩模用于结晶化硅的方法、以及一种显示设备。掩模包括：相对于扫描方向以预定角度倾斜的一组狭缝；以及包括相对于前一组狭缝以预定角度倾斜的狭缝的一组狭缝。这些狭缝组沿扫描方向间隔一定的间隔，并且将基板和/或掩模在通过狭缝的激光照射之间移动所述间隔。通过减小在基板上水平地或垂直地延伸的晶界的数目，本发明消除了与顺序侧向固化(SLS)技术中的方向性的各向异性有关的设计限制。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 化用 方法 显示 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于硅结晶化的掩模，包括：第一组狭缝，包括一个或多个狭缝，所述狭缝相对于扫描方向以钝角倾斜，其中所述狭缝在与扫描方向垂直的方向中彼此间隔；第二组狭缝，包括一个或多个狭缝，所述狭缝相对于扫描方向以钝角倾斜，其中所述狭缝在与扫描方向垂直的方向中彼此间隔；第三组狭缝，包括一个或多个狭缝，所述狭缝相对于扫描方向以锐角倾斜，其中所述狭缝在与扫描方向垂直的方向中彼此间隔；以及第四组狭缝，包括一个或多个狭缝，所述狭缝相对于扫描方向以锐角倾斜，其中所述狭缝在与扫描方向垂直的方向中彼此间隔，其中，第一、第二、第三、和第四组狭缝在扫描方向中彼此间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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