[发明专利]具有在端口间的数据发送模式的多径访问半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 200610168685.6 申请日: 2006-12-22
公开(公告)号: CN1988034A 公开(公告)日: 2007-06-27
发明(设计)人: 黄炯烈;朴祥均 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文;黄小临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 半导体存储器件包括多个端口,存储器单元阵列的至少一个共享存储区域经由所述端口可访问,并且数据传输控制器耦合到所述共享存储区域和所述端口。该数据传输控制器被配置来,当与写入操作相关联的写入地址的至少一部分和与读取操作相关联的读取地址的至少一部分基本上相等时,在写入操作的写入命令之后、在施加任何其它的命令到共享的存储区域之前,施加读取操作的读取命令到共享的存储区域。
搜索关键词: 具有 端口 数据 发送 模式 访问 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:多个端口;经由所述端口可访问的存储器单元阵列的至少一个共享存储区域;以及数据传输控制器,其耦合到共享存储区域和所述端口,其中,所述数据传输控制器被配置来当与写入操作相关联的写入地址的至少一部分和与读取操作相关联的读取地址的至少一部分基本上相等时,在写入操作的写入命令之后、在施加任何其它的命令到共享的存储区域之前,施加读取操作的读取命令到共享的存储区域。
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