[发明专利]非易失存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610168444.1 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101005112A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 浅野勇;佐藤夏树;沃洛季米尔·丘巴蒂耶;杰弗里·P·富尼耶 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 非易失存储元件，包含：下电极12；上电极15；设置在下电极12和上电极15之间、包含相变材料的记录层13和可以阻挡记录层13相变的阻挡层14。构成阻挡层14的材料比构成记录层13的材料具有更高的电阻。阻挡层14抑制热向上电极15辐射，极大地限制了施加写电流时的相变区。结果得到高的加热效率。上电极15自身可以用来构成位线，或者可以设置独立的位线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储元件，包括：下电极；上电极；以及设置在所述下电极和所述上电极之间、包含相变材料的记录层和可以阻挡记录层相变的阻挡层，其中构成阻挡层的材料比构成记录层的材料具有更高的电阻。
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