[发明专利]一种用于太阳能电池的氧化锌薄膜及制备方法无效
申请号: | 200610167728.9 | 申请日: | 2006-12-20 |
公开(公告)号: | CN1964078A | 公开(公告)日: | 2007-05-16 |
发明(设计)人: | 曹传宝;张金星 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/042;H01L31/18;C23C14/34 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 | 代理人: | 张利萍 |
地址: | 100081北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 溅射法制备纳米氧化锌薄膜并发现其具有明显的全日光波段光伏性能,涉及太能电池材料、光伏材料和电子材料。本发明提供了一种简单的、易于规模生产的方法,制备出具有优异全日光波段光伏性能和光电性质的氧化锌薄膜,即:于玻璃/ITO(In2O3∶Sn)或硅衬底磁控溅射制备出高质量的氧化锌薄膜,测试发现薄膜不仅具有良好的紫外透过性能,而且ITO/ZnO或Si/ZnO双层结构具有优良的全日光波段光电转化能力和较快光电响应时间。此方法制备氧化锌薄膜具有工艺简单、成本低廉、易于规模生产等优点,具有良好的太阳电池及光电应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种应用于太阳能电池的氧化锌薄膜及制备方法,其特征在于:它具有全日光波段光电响应能力,用于太阳能电池;其制备方法是在衬底温度为室温至500℃、工作压力为0.4Pa-20Pa、射频溅射功率为50W-300W、溅射时间20-120分钟的条件下将氧化锌溅射沉积在ITO/玻璃或硅衬底上,得到薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的