[发明专利]显像方法以及使用该显像方法的半导体装置的制作方法无效
| 申请号： | 200610165978.9 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101071277A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 北原英和;野田研二;旭宪一;氏丸直彦;福本博文 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/26;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种显像方法及使用该显像方法的半导体装置的制作方法。在抗蚀图案的多段显像方法中，即使开口率不同的区域混杂时也能防止图案尺寸(开口尺寸)所产生的偏差。首先工序(ST1)中在具有上表面开口率互不相同的设计图案已被曝光的抗蚀膜的晶片中，向抗蚀膜上供给显像液。然后在工序(ST2)中通过已供给的显像液使抗蚀膜进行显像反应。然后在工序(ST3)中在显像后通过旋转晶片甩开去除显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。然后在工序(ST5)中去除显像液后向已显像的抗蚀膜上供给清洗液，通过旋转晶片冲掉显像液及溶解于该显像液的抗蚀剂。此时工序(ST3)中晶片的旋转速度小于等于工序(ST5)中衬底旋转速度的二分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 显像 方法 以及 使用 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种显像方法，其特征在于：包括：显像液供给工序，是在具有上表面开口率互不相同的设计图案已被曝光的由抗蚀剂构成的抗蚀膜的衬底中，向上述抗蚀膜上供给显像液；显像工序，是通过已供给的上述显像液使上述抗蚀膜进行显像反应；显像液去除工序，是在上述显像工序之后，通过旋转上述衬底，从而去除上述显像液及已溶解于该显像液的上述抗蚀剂；清洗工序，是在上述显像液去除工序之后，向已显像的上述抗蚀膜上供给清洗液，通过旋转上述衬底，从而冲洗掉上述显像液及已溶解于该显像液的上述抗蚀剂，此外在上述显像液去除工序中上述衬底的旋转速度小于等于上述清洗工序中上述衬底旋转速度的二分之一。
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