[发明专利]配线衬底的制造方法有效
申请号: | 200610163735.1 | 申请日: | 2006-12-04 |
公开(公告)号: | CN1983534A | 公开(公告)日: | 2007-06-20 |
发明(设计)人: | 今井隆浩 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/02;H05K3/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种低成本且高效地制造可靠性高的配线衬底的方法。配线衬底的制造方法包括:准备具有基座衬底(10)、形成于基座衬底(10)的表面上的导电膜(20)及形成于导电膜(20)上的多个导线(30)的衬底的工序;形成将导电膜(20)上的相邻的2个导线(30)之间的区域局部覆盖的抗蚀剂层(40),使其与2个导线(30)接触的工序;形成导电图案(50)的工序,该导电图案(50)形成导电膜(20)的图案且电连接多个导线(30);经由导电图案(50)使电流在多个导线(30)中流动,从而对导线(30)进行镀敷处理的电解镀敷处理工序;切断导电图案(50),使多个导线(30)分别电绝缘的工序。 | ||
搜索关键词: | 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种配线衬底的制造方法,其包括:准备具有基座衬底、形成于所述基座衬底的表面上的导电膜及形成于所述导电膜上的多个导线的衬底的工序;形成将所述导电膜上的相邻的2个所述导线之间的区域局部覆盖的抗蚀剂层,使其与所述2个导线接触的工序;形成导电图案的工序,所述导电图案通过除去所述导电膜的从所述多个导线及所述抗蚀剂层露出的露出部而形成所述导电膜的图案,且所述导电图案电连接所述多个导线;经由所述导电图案使电流在所述多个导线中流动,从而对所述多个导线进行镀敷处理的电解镀敷处理工序;切断所述导电图案,使所述多个导线分别电绝缘的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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