[发明专利]六甲基二硅烷的合成方法有效
| 申请号： | 200610161426.0 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1974579A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张才山;陆灯宏;孙健;韦善美 | 申请（专利权）人： | 扬州三友合成化工有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225652*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 六甲基二硅烷的合成方法，涉及一种化工工艺，无氧条件下，将投有二甲苯、冠醚、金属钠的反应釜内升温、搅拌，向反应釜内滴加三甲基氯硅烷，结束后，控制反应釜内温度，保温后，再降温至釜内温度为50℃±5℃时，向反应釜内滴加水，静置分层，通过油水分离器蒸馏脱水，得粗品六甲基二硅烷。本发明在冠醚参与下使用金属钠和三甲基氯硅烷反应，改变了金属钠的电位，提高金属钠的活性，使之与三甲基氯硅烷发生反应，粗品收率可达73.17％；本发明工艺简单、易于操控，便于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基 硅烷 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、六甲基二硅烷的合成方法，其特征在于，无氧条件下，将投有二甲苯、冠醚、金属钠的反应釜内升温到95℃～100℃，并保持30±10分钟；搅拌条件下，向反应釜内滴加三甲基氯硅烷，待反应引发之后，控制反应釜内温度在95～105℃之间，再继续滴加三甲基氯硅烷，滴加结束后，控制反应釜内温度在110℃±5℃，保温4～6小时后，降温，反应釜内温度为50℃±5℃时，向反应釜内滴加水，静置分层，分去下层氯化钠水溶液，通过油水分离器蒸馏脱水，得粗品六甲基二硅烷。
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