[发明专利]信息介质以及使用其的写入和再现信息的设备和方法无效
| 申请号： | 200610160367.5 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101025969A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 南润宇;闵桐基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B9/02 | 分类号： | G11B9/02;G12B21/02;G01N13/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用半导体探针再现信息的方法和设备。该设备包括：存储介质，包括铁电记录层，其中通过排列极化畴的极化方向来存储信息，和形成于铁电记录层上的物理记录层，通过形成凹点来在其上写入信息；产生复合信号的半导体探针，复合信号包括由存储介质的铁电记录层的电场变化产生的电场信号和由于物理记录层的形状变化引起的温度变化产生的热信号；信号探测器，探测由半导体探针产生的复合信号；解调器，解调由信号探测器探测的复合信号且从复合信息提取电场信号和热信号。通过调制将由场变化产生的信号和由热变化产生的信号彼此分离且探测了有效的信息信号，从而改善了信噪比，即使在存在热噪声的情况下也可以稳定地再现信息信号。 | ||
| 搜索关键词： | 信息 介质 以及 使用 写入 再现 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种信息存储介质，包括：衬底；形成于所述衬底上的铁电记录层，其中通过排列所述铁电记录层的极化畴的极化方向来存储信息；形成于所述铁电记录层上的物理记录层，通过在所述物理记录层中形成凹点来在其上写入信息；和位于所述衬底和所述铁电记录层之间的电极。
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