[发明专利]改进的三维只读存储器有效
| 申请号： | 200610159413.X | 申请日： | 2002-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101110269A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | G11C17/10 | 分类号： | G11C17/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种三维只读存储器(3D－ROM)中的二极化存储元，该二极化存储元含有两个具有不同基材料的次膜，或与其上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D－ROM单位阵列的大小，从而提高其可集成性。本发明还提出一种3D－ROM中的无缝存储元，它能提高3D－ROM的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 三维 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种三维只读存储器(3D-ROM)中的二极化存储元，其特征在于含有：第一和第二导体；一位于该第一和第二导体之间的二极化的准导通膜，电流在不同方向上通过该准导通膜时其电阻不同；该准导通膜含有第一和第二次膜，该第一和第二次膜具有不同基材料。
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