[发明专利]制造包括栓塞的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610156430.8 | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101145541A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 韩基贤;南基元 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成绝缘层、利用硬掩模图案来蚀刻绝缘层以形成接触孔、用导电层填充接触孔、蚀刻导电层以在接触孔中形成栓塞、移除残留的硬掩模图案以暴露出栓塞的上部并且使该上部突出在绝缘层上方以及在突出的栓塞上和在栓塞的上部周围形成金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 栓塞 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括；在衬底上形成绝缘层；利用硬掩模图案来蚀刻绝缘层以形成接触孔；用导电层填充接触孔；蚀刻导电层以在接触孔中形成栓塞；移除残留的硬掩模图案以暴露栓塞的上部，并且使所述上部突出在绝缘层上方；和在突出的栓塞上和在栓塞上部周围形成金属线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
