[发明专利]薄膜器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610156256.7 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1992108A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 薄膜器件具备基板、配置在基板上的由绝缘材料构成的平坦化膜、以及设置在平坦化膜上的电容器。电容器具有下部导体层、配置在下部导体层上的电介质膜、以及配置在电介质膜上的上部导体层。下部导体层具有电极膜、用电镀法在电极膜上形成的第1层、以及用PVD法或CVD法在第1层上形成的第2层。第2层中的金属晶体的粒径小于第1层中的金属晶体的粒径。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜器件，其具备下部导体层、配置在上述下部导体层上的电介质膜、以及配置在上述电介质膜上的上部导体层，其特征在于，上述下部导体层具有由金属构成的第1层和配置在上述第1层与上述电介质膜之间的由金属构成的第2层，上述第2层中的金属晶体的粒径小于上述第1层中的金属晶体的粒径。
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