[发明专利]流化床直接制取氮化硅的装置及其方法

摘要

本发明公开了一种流化床直接制取氮化硅的装置及其方法。本发明依据流化床中气固反应强烈、传热传质好，温度均匀的特点，在温度为1000℃－1650℃的高温流化床中直接氮化硅粉，连续生产氮化硅粉体。参加反应的硅粉颗粒采用直径小于10μm的硅粉烧结成平均直径为300－500μm的硅粉，通过给料装置连续进入流化床中。流化气体采用体积比为10％－100％的氮气，0－60％的氢气，与氩气平衡。为使硅粉流化床稳定流化，采用声强方式进行强化。这样不仅能够产生质高且均匀的氮化硅粉体，而且还能大大提高氮化效率，为氮化硅提供新的制取工艺，具有广泛工业应用前景。

主权项

1.一种流化床直接制取氮化硅的装置，其特征在于，它具有流化床主体(1)，在流化床主体下到上依次设有风室(11)、布风板(6)、流化密相区(4)，流化稀相区(2)，在流化区的主体侧壁设有加热装置(3)，风室的主体侧壁设有辅助加热装置(10)，流化区的主体侧壁上设有给料装置(9)和出料装置(5)，风室内设有发声装置(12)，发声装置的声信号来自于声信号发生器(8)并经功率放大器(7)放大，风室底部接有前置预热室(14)。