[发明专利]磁阻效应器件、磁头、磁记录系统及磁随机存取存储器

摘要

一种具有合成铁钉扎旋阀结构的CPP型磁阻效应器件，该旋阀结构包括缓冲层、被钉扎铁磁层、非磁金属中间层和自由铁磁层，该自由铁磁层由具有特定成分的CoFeAl或CoMnAl制成，该缓冲层包括非晶金属底层和非磁金属顶层。该磁阻效应器件增大输出ΔRA，减小矫顽力Hc和相对于零磁场的偏移量Hin以提高灵敏度，并且增大电阻减半点的磁场Hua以增大钉扎稳定性。本发明还揭示了使用该磁阻效应器件的磁头、磁记录系统和磁随机存取存储器。

主权项

1、一种具有旋阀结构的磁阻效应器件，该旋阀结构包括位于最底层的缓冲层、该缓冲层上的被钉扎铁磁层、非磁金属中间层及自由铁磁层，其中所述自由铁磁层包括下列(1)和(2)之一：(1)在CoFeAl三元系统成分图中，在将成分的坐标表示为(Co含量、Fe含量，Al含量[每种含量的单位为原子％])时，通过用直线按顺序连接点A、点B、点C、点D、点E、点F及点A所得的区域中的成分，其中点A(55，10，35)，点B(50，15，35)，点C(50，20，30)，点D(55，25，20)，点E(60，25，15)及点F(70，15，15)；以及(2)在CoMnAl三元系统成分图中，在将成分的坐标表示为(Co含量、Mn含量，Al含量[每种含量的单位为原子％])时，通过用直线按顺序连接点A、点B、点C、点D、点E、点F及点A所得的区域中的成分，其中点A(44，23，33)，点B(48，25，27)，点C(60，20，20)，点D(65，15，20)，点E(65，10，25)及点F(60，10，30)；所述缓冲层包括底层的非晶金属缓冲层和顶层的非磁金属缓冲层。