[发明专利]制造化合物材料的方法和选择晶片的方法

摘要

本发明提供了一种制造化合物材料的方法和选择晶片的方法。本发明涉及一种制造化合物材料晶片，特别是绝缘体上硅(SOI)型晶片的方法，该方法包括以下步骤：提供两块晶片；以及将一块晶片接合到另一块晶片上，具体地说，将一块晶片键合到另一块晶片上，并且其中为了减少在晶片边缘上或附近出现的晶体缺陷的量，而执行确定边缘下降值的步骤，其中在距离晶片的边缘约0.5－2.5mm处和/或使用高度轮廓的二阶导数来确定边缘下降值。本发明还涉及一种选择晶片的方法以及这种晶片在化合物材料晶片的制造工艺中的用途。

主权项

1、一种制造化合物材料晶片，特别是绝缘体上硅(SOI)型晶片的方法，该方法包括以下步骤：提供两块晶片(11，13)；将一块晶片接合到另一块晶片上，具体地说，将一块晶片键合到另一块晶片上，该方法的特征在于：在接合之前，使用所述晶片(11，13)中的每一个的轮廓的二阶导数来确定这两块晶片中的每一个的边缘下降(ERO)值，并且使用ERO为50nm以上、特别是100nm以上、更特别的是150nm以上的晶片，其中通过确定：ERO＝Y(a)-Y(fqa)来获得所述ERO，其中a和fqa与晶片的半径上的两个位置相对应，并且其中Y(a)与所述晶片在二阶导数Y”为零的半径位置处的高度相对应，而Y(fqa)与所述晶片在距离外周(27)约0.5mm至2.5mm、特别是约1mm的半径位置处的高度相对应。