[发明专利]读取及写入一种磁性存储器设备的系统与方法有效
| 申请号： | 200610146358.0 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1967715A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何家骅 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁性随机存取存储器(MRAM)单元，其包含磁性金属层与接近该磁性金属层的磁性感测设备。该磁性金属层的其中一端与字线晶体管耦接，而其另一端与第一位线耦接。该磁性感测设备可与第二位线耦接。该磁性金属层兼具编程及读取该单元的两种功能，使该单元不需要第二条电流线。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 写入 一种 磁性 存储器 设备 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种读取非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备包括接近磁性金属层的磁性感测设备，所述方法包括：施加电压以开启与所述磁性金属层的一端耦接的字线晶体管；施加电压差于所述磁性感测设备及所述磁性金属层上；以及使用与所述磁性感测设备的一端耦接的感测放大器感测读取电流。
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