[发明专利]对闪存器件进行编程的方法有效
| 申请号： | 200610145272.6 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101071642A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李珉圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在NAND闪存器件的编程时，在编程和编程验证完成后，在连接到最后字线的单元上执行再编程。因此，可以将连接到最后字线的单元的阈值电压分布控制为与其它单元一样具有窄的宽度。因此可以保证芯片的读取裕度并提高成品率。通过如上述地将阈值电压分布控制为具有窄的宽度，可以提高器件的持久性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对闪存器件进行编程的方法，包括：在所选存储器单元上执行编程和编程验证；以及如果所述被编程的单元是连接到最后字线的单元，则执行再编程。
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