[发明专利]像素结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种像素结构的制造方法，其先在基板上形成栅极、扫描扫描线以及至少一第一辅助图案。接着在基板上形成闸绝缘层，覆盖住栅极以及扫描线，且露出第一辅助图案以及部分扫描线。之后在栅极上方的栅绝缘层上形成通道层。接着形成源极、漏极、数据线、上电极以及至少一第二辅助图案，其中数据线会与露出来的第一辅助图案电性连接，且第二辅助图案会与露出来的扫描线电性连接。之后，形成保护层以覆盖住源极、漏极、数据线、第二辅助图案以及上电极。然后在保护层上形成像素电极，像素电极会与漏极以及上电极电性连接。

主权项

1、一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上形成一栅极、至少一第一辅助图案以及与该栅极连接的一扫描线；依序形成一绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层以及一光刻胶层；一次曝光显影该光刻胶层，以形成一第一部份以及一第二部份，暴露出位于该扫描线及该第一辅助图案上的该欧姆接触层，其中该第一部份覆盖住位于该栅极上方及部分该扫描线上方的该欧姆接触层，该第二部分覆盖住其它未被该第一部份覆盖以及未暴露出的部分；移除暴露出的该欧姆接触层与该半导体层，以暴露出部分的该绝缘层，以及移除该第二部分；移除暴露出的该绝缘层、该欧姆接触层与该半导体层，以形成一栅绝缘层及一通道层，以及移除该第一部分；形成一源极、一漏极、至少一第二辅助图案以及与该源极连接的一数据线，其中该数据线与该第一辅助图案并连，该第二辅助图案与该扫描线并连；移除该源极与该漏极间的该欧姆接触层以完成一薄膜晶体管；以及形成一保护层及一像素电极，该像素电极经该保护层与该薄膜晶体管电性连接。