[发明专利]制造沟槽晶体管的方法及相应的沟槽晶体管无效

申请号：	200610144737.6	申请日：	2006-09-29
公开（公告）号：	CN1941300A	公开（公告）日：	2007-04-04
发明（设计）人：	R·卢伊坎;H·－P·莫尔;M·波普;T·施洛瑟;M·斯特拉瑟;R·韦斯	申请（专利权）人：	奇梦达股份公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	刘华联
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明提供一种用于制造沟槽晶体管的方法以及相应的沟槽晶体管(沟槽＝凹陷的沟道阵列晶体管)。该方法包括以下步骤：提供第一导电类型的半导体衬底(1)；在半导体衬底(1)中形成沟槽(5)；在衬底(1)上的沟槽(5)中形成栅电介质(20)；在沟槽(5)中提供第一导电填充物(30’)作为在栅电介质(20)上的栅电极(30)；通过引入第二导电类型的杂质到衬底(1)表面沿沟槽(5)侧形成第一源区和漏区(4)；向下回蚀刻沟槽(5)中的第一导电填充物(30’)到低于第一源区和漏区(4)的深度；通过引入第二导电类型的杂质到衬底(1)表面沟槽(5)中形成第二源区和漏区(4’)，第二源区和漏区(4’)邻接第一源区和漏区(4)且延伸到至少回蚀刻的第一导电填充物(30’)的深度；在沟槽(5)中的回蚀刻的第一导电填充物(30’)之上形成绝缘间隔(25；25’)；以及在沟槽(5)中提供第二导电填充物(30”)作为栅电极的上部分，其与回蚀刻的第一导电填充物(30’)电接触且通过绝缘间隔(25；25’)与第一和第二源区和漏区(4，4’)电绝缘。
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【主权项】：

1.一种制造沟槽晶体管的方法，包括以下步骤：提供第一导电类型的半导体衬底(1)；在半导体衬底(1)中形成沟槽(5)；在衬底(1)上的沟槽(5)中形成栅电介质(20)；在沟槽(5)中提供第一导电填充物(30’)作为在栅电介质(20)上的栅电极(30)；通过引入第二导电类型的杂质到衬底(1)表面沿沟槽(5)侧形成第一源区和漏区(4)；向下回蚀刻沟槽(5)中的第一导电填充物(30’)到低于第一源区和漏区(4)的深度；通过引入第二导电类型的杂质到衬底(1)表面沟槽(5)中形成第二源区和漏区(4’)，第二源区和漏区(4’)邻接第一源区和漏区(4)且延伸到至少回蚀刻的第一导电填充物(30’)的深度；在沟槽(5)中的回蚀刻的第一导电填充物(30’)之上形成绝缘间隔(25；25’)；以及在沟槽(5)中提供第二导电填充物(30”)作为栅电极的上部分，其与回蚀刻的第一导电填充物(30’)电接触且通过绝缘间隔(25；25’)与第一和第二源区和漏区(4，4’)电绝缘。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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