[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件制造方法，包括在包含活性区的半导体衬底上形成导电层和硅膜，在活性区上的硅膜上形成含第一杂质的发射极电极，用发射极电极作为掩模部分地蚀刻硅膜，形成覆盖半导体衬底的绝缘膜和覆盖发射极电极侧面的侧壁膜，在导电层和硅膜中引入第二杂质，使第二杂质到达入活性区，形成在导电层和硅膜中的部分中的含第二杂质的杂质区，以及将发射极电极中所含第一杂质扩散到硅膜中，在硅膜中形成含第一杂质的第一区和不含第一杂质的第二区。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，该方法包括：第一步骤：在包括被隔离膜包围的活性区的半导体衬底上形成导电层和起基极层作用的硅膜；第二步骤：在活性区上面的硅膜上形成含第一杂质的发射极电极；第三步骤：用发射极电极作掩模，部分地蚀刻硅膜；第四步骤：形成完全覆盖半导体衬底的绝缘膜，然后内腐蚀绝缘膜，形成覆盖发射极电极侧面的侧壁膜；第五步骤：在导电层和硅膜中引入第二杂质，使第二杂质到达入活性区，形成在部分导电层和部分硅膜中含第二杂质的杂质区；和第六步骤：将发射极电极中所含的第一杂质扩散到硅膜表面，在硅膜中形成含第一杂质的第一区和不含第一杂质的第二区；其中第三步骤包括形成倒T形的硅膜，使得当第四步骤完成时，第一区与发射极电极间的接触面位于侧壁膜的下表面上；并且第六步骤包括在硅膜中形成第一和第二区，使至少部分第二区位于导电层与侧壁膜之间，并与导电层和侧壁膜同时接触。