[发明专利]读取双位存储单元的方法有效

专利信息
申请号: 200610144579.4 申请日: 2006-11-06
公开(公告)号: CN101178932A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 张耀文;卢道政 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/26
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 任永武
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种读取双位存储单元之方法。双位存储单元包括控制端、第一端以及第二端,双位存储单元于邻近第一端及第二端之处分别具有第一位储存节及第二位储存节。首先,分别施加控制电压及读取电压至控制端及第一端,且将第二端接地,以测量第一端的第一输出电流值。接着,分别施加控制电压及读取电压至控制端及第二端,且将第一端接地,以测量第二端的第二输出电流值。最后,根据第一输出电流值及第二输出电流值来同时读取第一位储存节及第二位储存节的位状态。
搜索关键词: 读取 存储 单元 方法
【主权项】:
1.一种读取双位存储单元的方法,该双位存储单元包括一控制端、一第一端以及一第二端,该双位存储单元于邻近该第一端及该第二端之处分别具有一第一位储存节及一第二位储存节,该方法包括:(a)分别施加一控制电压及一读取电压至该控制端及该第一端,且将该第二端接地,以测量该第一端的一第一输出电流值;(b)分别施加该控制电压及该读取电压至该控制端及该第二端,且将该第一端接地,以测量该第二端的一第二输出电流值;以及(c)根据该第一输出电流值及该第二输出电流值,来同时读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态。
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