[发明专利]读取双位存储单元的方法

权利要求书

1.一种读取双位存储单元的方法，该双位存储单元包括一控制端、一第一端以及一第二端，该双位存储单元于邻近该第一端及该第二端之处分别具有一第一位储存节及一第二位储存节，该方法包括：

(a)分别施加一控制电压及一读取电压至该控制端及该第一端，且将该第二端接地，以测量该第一端的一第一输出电流值；

(b)分别施加该控制电压及该读取电压至该控制端及该第二端，且将该第一端接地，以测量该第二端的一第二输出电流值；以及

(c)根据该第一输出电流值及该第二输出电流值，来同时读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该双位存储单元为一氮化物只读存储单元。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于该控制端、该第一端及该第二端分别为一栅极、一源极及一漏极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于该控制端、该第一端及该第二端分别为一栅极、一漏极及一源极。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于该步骤(c)包括：

判断该第一输出电流值及该第二输出电流值的一大小关系。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于该步骤(c)还包括：

当该第一输出电流值大于该第二输出电流值时，读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「1」；以及

当该第一输出电流值小于该第二输出电流值时，读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「0」。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于该步骤(c)还包括：

当该第一输出电流值及该第二输出电流值相等时，判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否大于一第一默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「1」；

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未大于该第一默认值时，是读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「0」；以及

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未大于该第一默认值时，判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否小于一第二默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「0」。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于该步骤(c)还包括：

当该第一输出电流值及该第二输出电流值相等时，判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否小于一第二默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「0」；

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未小于该第二默认值时，是读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「1」；以及

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未小于该第二默认值时，判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否大于一第一默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「1」。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于该步骤(c)包括：

判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否皆大于一第一默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「1」；

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未皆大于该第一默认值时，判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否皆小于一第二默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「0」；以及

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未皆小于该第二默认值时，判断该第一输出电流值是否大于该第二输出电流值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「1」；若否，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「0」。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于该步骤(c)包括：

判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否皆小于一第二默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「0」；

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未皆小于该第二默认值时，判断该第一输出电流值及该第二输出电流值是否皆大于一第一默认值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「1」；以及

当该第一输出电流值及该第二输出电流值未皆大于该第一默认值时，判断该第一输出电流值是否大于该第二输出电流值，若是，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「0」及「1」；若否，则读取该第一位储存节及该第二位储存节的位状态分别为「1」及「0」。