[发明专利]分离栅极闪存的故障检测方法无效
申请号: | 200610143316.1 | 申请日: | 2006-11-03 |
公开(公告)号: | CN101174474A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 吴升;黄宗正;张格荥;廖益良 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/48 | 分类号: | G11C29/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邸万奎;黄小临 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种分离栅极闪存的故障检测方法,此方法是先对分离栅极闪存中所有的存储单元进行擦除操作。接着,检查存储单元的第一位映象,以找出发生故障的存储单元。然后,读取发生故障的存储单元的电流值,以判断发生故障的存储单元是否真的故障,若「是」则继续进行下面的步骤,若「否」则进行到第一子系统。接下来,分析发生故障的存储单元的故障类型,其中若整条位线上的存储单元发生故障,则归类为位线故障的故障类型,进行到第二子系统,若整条字线上的多个存储单元发生故障,则归类为字线故障的故障类型,进行到第三子系统。 | ||
搜索关键词: | 分离 栅极 闪存 故障 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种分离栅极闪存的故障检测方法,其中所述分离栅极闪存具有由多个存储单元所组成的存储单元阵列,每一个所述存储单元位于多条位线与多条字线的相交处,且每一个所述存储单元至少具有浮动栅及选择栅极,而所述字线连接所述选择栅极,所述方法包括:对所述分离栅极闪存进行井区漏电流测试;对所述分离栅极闪存中所有的存储单元进行擦除操作;检查所述存储单元的第一个位映象,以找出发生故障的存储单元;读取发生故障的存储单元的电流值,以判断发生故障的存储单元是否真的故障,若「是」则继续进行下面的步骤,若「否」则进行到第一子系统;以及分析发生故障的所述存储单元的故障类型,其中若整条所述位线的所述存储单元发生故障,则归类为位线故障的故障类型,进行到第二子系统,若整条所述字线的多个所述存储单元发生故障,则归类为字线故障的故障类型,进行到第三子系统。
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