[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

针对对于具有高击穿电压场效应晶体管的半导体器件的扭结效应进行抑制或防止的目的，在高击穿电压pMIS的沟道区沿栅极宽度方向两端的每个沟槽型隔离部分与半导体衬底之间的边界区域中，在远离高击穿电压pMIS的每个具有场缓和功能的p^－型半导体区的位置，设置具有与用作高击穿电压pMIS的源极和漏极的p⁺型半导体区相反的导电类型的n⁺型半导体区，从而不与p^－型半导体区(特别是在漏极侧)相接触。n⁺型半导体区延伸到比沟槽型隔离部分更深的位置。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，具有用于在半导体衬底中形成第五和第六高击穿电压场效应晶体管的工艺，所述方法包括以下步骤：(a)在半导体衬底的主表面中形成沟槽型隔离部分，并且形成由沟槽型隔离部分所限定的多个有源区；(b)在半导体衬底中形成第一导电类型的第七半导体区；(c)在半导体衬底中形成与第一导电类型相反的第二导电类型的第八半导体区；(d)在第七半导体区中形成第五高击穿电压场效应晶体管的第二导电类型的源极和漏极第九半导体区；(e)在第八半导体区中形成第六高击穿电压场效应晶体管的第一导电类型的源极和漏极第十半导体区；(f)在半导体衬底的上方形成栅极绝缘膜；(g)在栅极绝缘膜的上方形成栅电极；(h)在第九半导体区中形成其杂质浓度比第九半导体区高的第五高击穿电压场效应晶体管的第二导电类型的源极和漏极第十一半导体区；以及(i)在第十半导体区中形成其杂质浓度比第十半导体区高的第六高击穿电压场效应晶体管的第一导电类型的源极和漏极第十二半导体区，其中在相应有源区中形成第五高击穿电压场效应晶体管的第二导电类型的源极和漏极第十一半导体区，其中该相应有源区通过沟槽型隔离部分设置在其中设置有第五高击穿电压场效应晶体管的沟道区的有源区的沿栅极长度方向的两侧，其中形成第五高击穿电压场效应晶体管的第二导电类型的源极和漏极第九半导体区，从而将第二导电类型的源极和漏极第十一半导体区与第五高击穿电压场效应晶体管的沟道区进行电连接，其中在相应有源区中形成第六高击穿电压场效应晶体管的第一导电类型的源极和漏极第十二半导体区，其中该相应有源区通过沟槽型隔离部分设置在其中设置有第六高击穿电压场效应晶体管的沟道区的有源区的沿栅极长度方向的两侧，其中形成第六高击穿电压场效应晶体管的第一导电类型的源极和漏极第十半导体区，从而将第一导电类型的源极和漏极第十二半导体区和第六高击穿电压场效应晶体管的沟道区进行电连接，其中当形成第五高击穿电压场效应晶体管的第二导电类型的源极和漏极第九半导体区时，在第六高击穿电压场效应晶体管沿栅极宽度方向两端的相应沟槽型隔离部分与半导体衬底之间的边界区域中，形成其杂质浓度比第八半导体区高的第二导电类型的第十三半导体区，从而不与第六高击穿电压场效应晶体管的第一导电类型的源极和漏极第十和第十二半导体区相接触，并且远离第十和第十二半导体区，以及其中当形成第六高击穿电压场效应晶体管的第一导电类型的源极和漏极第十半导体区时，在第五高击穿电压场效应晶体管沿栅极宽度方向两端的相应沟槽型隔离部分与半导体衬底之间的边界区域中，形成其杂质浓度比第七半导体区高的第一导电类型的第十四半导体区，从而不与第五高击穿电压场效应晶体管的第二导电类型的源极和漏极第九和第十一半导体区相接触，并且远离第九和第十一半导体区。