[发明专利]基板的制造方法及基板洗涤装置有效
| 申请号： | 200610142100.3 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1941331A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 薮下宏二;山部贵人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及通过消除钼氧化物向洗涤液的溶出，防止钼氧化物附着的薄膜晶体管的制造方法及制造装置。本发明为基板(13)的制造方法。在基板(13)上形成含钼的层，在露出含钼层的状态下，对基板(13)进行加热，与此同时进行预洗涤处理，在该基板温度为130℃或130℃以下的状态下，对进行过洗涤处理的基板(13)进行湿式洗涤。通过该方法，可以抑制钼氧化物向洗涤液的溶出，防止钼氧化物对薄膜晶体管的沟道表面附着。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 洗涤 装置 | ||
【主权项】：
1.基板的制造方法，其在基板上形成含钼的层，在使前述含钼层露出的状态下，对前述基板进行加热，同时进行预洗涤处理，对进行过前述预洗涤处理的基板在该基板温度为130℃或130℃以下的状态进行湿式洗涤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
