[发明专利]共模扼流圈及其制造方法无效
| 申请号： | 200610141616.6 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1949412A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 奥泽信之;吉田诚 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F17/06 | 分类号： | H01F17/06;H01F27/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及共模扼流圈及其制造方法，其目的在于：提供能够实现小型化、薄型化及低成本化的共模扼流圈及其制造方法。共模扼流圈(1)包括用薄膜形成技术在由单结晶硅形成的硅基板(51)上形成绝缘层(60)、第1螺旋线圈部(11)、第2螺旋线圈部(12)及闭合磁路(141)，整体上具有长方体状的外形。第1和第2螺旋线圈部(11、12)，以其螺旋轴与硅基板(51)的基板面大体平行的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 共模扼流圈 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种其模扼流圈，其特征在于，包括第1螺旋线圈部和第2螺旋线圈部，所述第1螺旋线圈部具备在下部绝缘层上并排布置的多个细长状的第1导电层，在所述第1导电层的两端部形成的第2导电层，以及在所述第2导电层上形成的、其一个端部与所述第2导电层电气连接、另一端部与跟所述第2导电层正下面的所述第1导电层邻接的所述第1导电层上形成的所述第2导电层电气连接的第3导电层，由所述第1、第2、第3及第2导电层构成1匝线圈，所述第2螺旋线圈部的结构与所述第1螺旋线圈部相同。
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