[发明专利]制造双层导线结构的薄膜晶体管显示器阵列的方法

摘要

本发明揭示一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列的方法，其包括：提供基板；在该基板上形成图案化的第一金属层，该图案化的第一金属层包括多条第一导线及多条第二导线，其中上述这些第一导线与第二导线互相垂直；在该图案化第一金属层上方形成绝缘层；形成图案化硅层；形成图案化钝化层在该图案化硅层及该图案化第一金属层上方，使该图案化硅层部分及上述这些第一导线中的每一导线与上述这些第二导线中的每一导线部分暴露出来；及在该图案化钝化层上方形成图案化掺杂硅层与图案化第二金属层，从而填充接触该图案化硅层的上述这些已曝露部分及上述这些第一导线与上述这些第二导线的上述这些已曝露部分，其中，该图案化第二金属层包括多条第三导线及多条第四导线，上述这些第三及第四导线中的每一条分别对应于该多条第一导线中的一条与该多条第二导线中的一条。

主权项

1.一种用于制造薄膜晶体管阵列的方法，其特征是包含：提供基板；在该基板上形成图案化第一金属层，该图案化第一金属层包括多条第一导线及多条第二导线，其中上述这些第一导线及上述这些第二导线系互相垂直，上述这些第一导线中的每一条包括多个栅极电极，上述这些栅极电极中的每一个位于上述这些第一导线中的一条与上述这些第二导线中的一条的交叉点附近；在该图案化第一金属层上方形成绝缘层；形成图案化硅层；形成图案化钝化层在该图案化硅层及该图案化第一金属层上方，使该图案化硅层的部分及上述这些第一导线中的每一导线与上述这些第二导线中的每一导线部分暴露出来；及在该图案化钝化层上方形成图案化掺杂硅层与图案化第二金属层，从而填充接触该图案化硅层上述这些已暴露部分及上述这些第一导线与上述这些第二导线的上述这些已暴露部分，其中，该图案化第二金属层包括多条第三导线及多条第四导线，上述这些第三及第四导线中的每一条分别对应于该多条第一导线中的一条及该多条第二导线中的一条。